TSMC откладывает производство 3-нанометровых чипов, так как Samsung Foundry берет на себя инициативу

TSMC и Samsung в настоящее время борются за контроль над операцией. В настоящее время Samsung Foundry начала поставки чипов, произведенных с использованием 3-нм техпроцесса. Чем меньше размер узла, тем меньше транзисторов, используемых с этим конкретным компонентом. Это позволяет большему количеству транзисторов поместиться внутри чипа. Чем больше количество транзисторов, тем мощнее и энергоэффективнее будет чип.

Крупнейшим клиентом TSMC является Apple, технологический гигант приносит 25% доходов литейного завода.

Например, в 2016 году чип Apple A10 Fusion был построен на 16-нм техпроцессе от TSMC и содержал 3,3 миллиарда транзисторов. У iPhone 7 и iPhone 7 Plus под крышками был один из этих щенков. Давайте перейдем к моделям iPhone 14 Pro и iPhone 14 Pro Max этого года, которые работают на базе Apple A16 Bionic. Последний производится TSMC с использованием улучшенного 5-нм узла, который называется 4-нм, и каждый чип имеет внутри примерно 16 миллиардов транзисторов.

Транзистор Intel RibbonFET может помочь восстановить глобальное операционное лидерство. Кредит изображения — Intel

Этот чип будет эквивалентен 2-нанометровому техпроцессу и будет использовать новые транзисторы Intel RibbonFET, более известные как GateAllAround (GAA). GAA уже используется Samsung для 3-нм производства, а TSMC будет использовать его для своего 2-нм узла. С GAA резко снижаются утечки тока. Меньшее количество утечек означает, что для компенсации требуется меньше дополнительной энергии. Ожидается, что GAA повысит производительность на 25% при снижении энергопотребления на 50%.

Ожидается, что TSMC потратит более пяти лет на 3-нм и 2-нм техпроцессы.

Intel также будет использовать внутреннюю подачу питания, функцию, которую она называет PowerVia. Это позволит транзисторам получать питание с одной стороны микросхемы, а другая сторона будет использоваться для соединений. Это будет первая реализация системы, которая устраняет необходимость в транзисторе для направления питания на переднюю часть чипа.